Электронная почта
info@riseportglobal.comТелефон
+86-18642501777
Высокочистый сырой порошок SiC/крупный порошок SiC (5N-6N)
ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА
Порошок карбида кремния высокой чистоты – это высокоэффективный керамический материал с превосходными физико-химическими свойствами, состоящий в основном из карбида кремния высокой чистоты (SiC). Чистота исходного порошка SiC марки 5N-6N обычно составляет 99,999–99,9999%, с крайне низким содержанием примесей, таких как железо, алюминий и кислород. Общее содержание примесей должно контролироваться в диапазоне от 0,001% (10 частей на миллион) до 0,0001% (1 частей на миллион).
К распространённым относятся α-SiC (гексагональная система, например, 4H и 6H) и β-SiC (кубическая система). Крупнодисперсный порошок SiC обычно находится в α-фазе и обладает высокой стабильностью. Диапазон размеров частиц крупнодисперсного порошка SiC составляет от 10 до 100 мкм, а чистота готового порошка SiC может достигать уровня 5N (≥ 99,999%).
Этот материал из грубого порошка SiC значительно превзошел сферу применения обычных промышленных абразивов или огнеупорных материалов. Сырой порошок SiC является основным базовым материалом для изготовления следующего поколения высокопроизводительных полупроводниковых приборов.
ХАРАКТЕРИСТИКИ СЫРОГО ПОРОШКА SiC
Чистота сырого порошка SiC: от 99,999% (5N) до 99,9999% (6N)
Размер частиц: обычно 10–100 мкм (диапазон крупных частиц порошка SiC)
Кристаллическая фаза: преимущественно α-SiC (политипы 6H или 4H для электронных применений)
Основные примеси:
Металлы (Фе, Эл, Ни, Кр): <1 ppm (6N), <5 ppm (5N)
Кислород (O): <50 ppm
Азот (N): <20 ppm
Свободный углерод (C): <0,1%
ПОДРОБНЕЕ О ПРОДУКТЕ
Чистота карбида кремния: от 99,999% (5N) до 99,9999% (6N).
Высокочистый сырой порошок SiC является ключевым базовым материалом для высокотехнологичного производства, а с развитием таких отраслей, как новая энергетика и 5G, спрос на него продолжает расти.
В полупроводниковой промышленности он используется в качестве исходного материала для выращивания монокристаллических слитков карбида кремния методом физического переноса паров (ПВТ). Порошок сублимируется при высокой температуре, транспортируется к затравочному кристаллу для перекристаллизации и вырастает в монокристаллический слиток для изготовления пластины. Помимо высокой твёрдости, высокой теплопроводности и термостойкости, характерных для самого карбида кремния, основной характеристикой высокочистого порошка 5N-6N является исключительная чистота.
Высокочистый порошок карбида кремния 5N-6N – жемчужина на вершине пирамиды полупроводниковой промышленности. Это уже не просто порошок, а передовой функциональный материал, требующий исключительной чистоты, точной кристаллической структуры и строгого контроля размера частиц. Его получение – сложнейшая задача, охватывающая материаловедение, химию, термодинамику и инженерию, и играющая важную роль в разработке будущих электромобилей, новых источников энергии и технологий связи 5G.
УПАКОВКА
НАШЕ ПРЕИМУЩЕСТВО
Компания Райзпорт Глобальный Трейдеры ООО. (Шэньян) специализируется на предоставлении индивидуальных решений, отвечающих уникальным потребностям каждого клиента. Благодаря эффективной производственной системе с передовыми технологиями мы гарантируем высочайшие стандарты качества и оперативность реагирования. Наша глобальная сервисная сеть позволяет нам оказывать клиентам по всему миру бесперебойную и эффективную поддержку, поставляя высококачественные продукты и услуги на международные рынки.
