Электронная почта
info@riseportglobal.comТелефон
+86-18642501777
Электронная керамика RSiC для обжига электрических элементов
ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА
Керамика RSiC (рекристаллизованный карбид кремния) производит революцию в области обжига электротехнических элементов благодаря своим исключительным физическим и химическим свойствам. Этот передовой материал открывает возможности для прорывных инноваций в обжиге электротехнических элементов, особенно для высокопроизводительной электронной керамики и полупроводниковых приборов. Уникальные характеристики RSiC обеспечивают беспрецедентный контроль над условиями обжига, гарантируя оптимальные результаты для чувствительных электротехнических элементов на критических этапах термической обработки.
Характеристики RSiC в электронных элементах зажигания
Сверхточный контроль температуры
Длительная стабильная работа при температуре 1600°С с кратковременной возможностью до 1800°С;
Превосходная однородность теплового поля
Регулируемая теплопроводность (1,2–45 Вт/мК) за счет оптимизированной конструкции пористости;
Возможность быстрого спекания: изменение поверхности пластины ±0,5°C при скорости нагрева 100°C/мин (совместный обжиг электрода МЛКК);
Прецизионное спекание: стабильность теплового поля ±0,2°C при скорости нагрева 5°C/мин (обработка подложки LTCC);
Абсолютная чистота процесса: незагрязняющая среда для чувствительной электронной керамики;
Увеличенный срок службы
ОСНОВНОЙ ПАРАМЕТР
Оборудование для высокотемпературных печей | RSiC |
Содержание SiC (%) | ≥99% |
Насыпная плотность (г/см3)3) | 2,65~2,75 |
Кажущаяся пористость (%) | <17 |
Прочность при комнатной температуре (МПа) | 90~100 |
Прочность при 1300℃(МПа) | 100-110 |
Модуль упругости при 20℃ | 240 |
Теплопроводность при 1200 ℃ (Вт/мК) | 36 |
Тепловое расширение x10-6/℃ | 4.6 |
Максимальная температура использования (℃) | 1650℃ |
Твердость при 20°C (кг/мм2) | 2000 |
Вязкость разрушения при 20° (МПаxМ)1/2) | 2.0 |
ПРИЛОЖЕНИЕ
Производство электронной керамики
Многослойные керамические конденсаторы (МЛКК): пластины спекания RSiC предотвращают реакции подложки с печью;
Передовая технология обработки электронной керамики с гарантированной чистотой и термической стабильностью;
Корпуса для силовой электроники
Спекание серебра в SiC МОП-транзистор: приспособления RSiC с согласованным КТР (4,5×10⁻⁶/°C) минимизируют тепловое напряжение во время спекания под давлением при температуре 250 °C;
Оптимизирован для обжига электрических элементов при производстве силовых устройств;
Передовые упаковочные решения
Корпусирование на уровне пластины через стеклянные отверстия (ТЖВ): подложки RSiC сохраняют плоскостность <1 мкм/100 мм при оплавлении стекла при температуре 850 °C;
Превосходные характеристики для упаковки прецизионных электрических элементов;
Компоненты поддержки
Легкие спекаемые толкающие пластины с сохраненной прочностью на изгиб;
Прецизионные держатели пластин (спецификации 200 мм/300 мм);
Элементы контроля атмосферы: пористый RSiC (поры 10-50 мкм) с равномерностью проницаемости H₂ ±2%;
Керамика RSiC представляет собой золотой стандарт для обжига электрических элементов, обеспечивая точность, чистоту и производительность, необходимые для производства электронных устройств следующего поколения.
УПАКОВКА
НАШЕ ПРЕИМУЩЕСТВО
Компания Райзпорт Глобальный Трейдеры ООО. (Шэньян), предоставляющая полный спектр услуг в сфере карбида кремния (SiC), полностью интегрирует ресурсы начального и конечного этапов в свою бизнес-модель и структуру цепочки создания стоимости, формируя дифференцированную и конкурентоспособную платформу для внешней торговли. Мы сочетаем индивидуальные сервисные решения с эффективной, технологичной производственной системой, гарантируя высочайшее качество и оперативность реагирования. Это позволяет нам предоставлять бесперебойный и высококачественный глобальный сервис, обеспечивая нашим клиентам успех на международных рынках.
